Infineon IGBT / 30 A 25V max. , 1200 V 156 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
226-6076
Herst. Teile-Nr.:
IHW15N120E1XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

30 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

25V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

156 W

Konfiguration

Single

Gehäusegröße

PG-TO247

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Die Infineon IHW15N120E1 Power Vollmonolithische Gehäusediode mit niedriger Durchlassspannung, die nur für weiche Kommutierung ausgelegt ist und über eine hohe Robustheit und ein temperaturstabiles Verhalten mit niedrigem VCEsat verfügt.

Sehr enge Parameter Verteilung
Geringe elektromagnetische Störungen

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