Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 30 A, 1200 V 200 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
215-6668
Herst. Teile-Nr.:
IKW15N120BH6XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

30A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

200W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.3V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

5.21mm

Serie

TrenchStop

Normen/Zulassungen

JEDEC47/20/22

Länge

42mm

Automobilstandard

Nein

Der bipolare Transistor mit isoliertem Gate der 6. Generation von Infineon in der schnellen, weichen Schaltserie.

Hoher Wirkungsgrad

Niedrige Schaltverluste

Erhöhte Zuverlässigkeit

Geringe elektromagnetische Störungen

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