Infineon IGBT / 85 A 30V max. , 650 V 227 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
226-6113
Herst. Teile-Nr.:
IKW30N65EL5XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

85 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

30V

Verlustleistung max.

227 W

Anzahl an Transistoren

1

Konfiguration

Single

Gehäusegröße

PG-TO247

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Der Infineon IKW30N65EL5 hat eine Durchschlagsspannung von 650 V, die sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung und einen höheren Wirkungsgrad von 50 Hz verwendet wird. Er hat eine längere Lebensdauer und eine höhere Zuverlässigkeit des IGBT.

QG mit niedriger Gate-Ladung
Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.
Qualifiziert gemäß JEDEC für Zielanwendungen

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