Infineon IGBT / 83 A, 650 V 210 W, 3-Pin PG-TO-247 Typ N-Kanal Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 225-0574
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW40N65R6XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
€ 13,98
(ohne MwSt.)
€ 16,775
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 15 Einheit(en) mit Versand ab 25. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,796 | € 13,98 |
| 25 - 45 | € 2,516 | € 12,58 |
| 50 - 120 | € 2,348 | € 11,74 |
| 125 - 245 | € 2,182 | € 10,91 |
| 250 + | € 2,014 | € 10,07 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 225-0574
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW40N65R6XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 83A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 210W | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 16.3mm | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | TrenchStop | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 83A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 210W | ||
Gehäusegröße PG-TO-247 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 16.3mm | ||
Höhe 5.3mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie TrenchStop | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IHW40N65R6 ist der 650-V-, 40-A-IGBT mit monolithisch integrierter Diode im TO-247-Gehäuse mit monolithisch integrierter Diode, der die anspruchsvollen Anforderungen von Induktionsheizungsanwendungen mit Halbbrücken-Resonanztopologie erfüllt.
Frequenzbereich: 20-75 kHz
Geringe elektromagnetische Störungen
Sehr enge Parameter Verteilung
Maximaler TJ-Betrieb von 175 °C.
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 83 A 3-Pin PG-TO-247 Typ N-Kanal Oberfläche
- Infineon Rückwärtsleitender IGBT / 83 A 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Modul / 35 A 23-Pin ECONO2 Typ N-Kanal Klemme
- Infineon IGBT / 35 A 3-phasig, 1200 V 210 W AG-ECONO2C-311 Fahrgestell
- Infineon IGBT / 35 A 3-phasig, 1200 V 210 W AG-ECONO2B-711 Fahrgestell
- Infineon IGBT / 55 A 3-phasig, 1200 V 210 W AG-ECONO2C-311 Fahrgestell
- Infineon IGBT / 35 A 3-phasig, 1200 V 210 W AG-ECONO2C-211 Fahrgestell
- Infineon IGBT-Modul / 55 A 35-Pin ECONO3 Typ N-Kanal Klemme