Infineon IGBT / 83 A, 650 V 210 W, 3-Pin PG-TO-247 Typ N-Kanal Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
225-0573
Herst. Teile-Nr.:
IHW40N65R6XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

83A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

210W

Gehäusegröße

PG-TO-247

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.6V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

16.3mm

Serie

TrenchStop

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

5.3mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon IHW40N65R6 ist der 650-V-, 40-A-IGBT mit monolithisch integrierter Diode im TO-247-Gehäuse mit monolithisch integrierter Diode, der die anspruchsvollen Anforderungen von Induktionsheizungsanwendungen mit Halbbrücken-Resonanztopologie erfüllt.

Frequenzbereich: 20-75 kHz

Geringe elektromagnetische Störungen

Sehr enge Parameter Verteilung

Maximaler TJ-Betrieb von 175 °C.

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