Infineon IGBT / 83 A ±20V max., 650 V 251 W, 3-Pin PG-TO247-3

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
225-0576
Herst. Teile-Nr.:
IHW50N65R6XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

83 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

251 W

Gehäusegröße

PG-TO247-3

Pinanzahl

3

Der Infineon IHW50N65R6 ist der 650-V-, 50-A-IGBT mit monolithisch integrierter Diode im TO-247-Gehäuse mit monolithisch integrierter Diode, der die anspruchsvollen Anforderungen von Induktionsheizungsanwendungen mit Halbbrücken-Resonanztopologie erfüllt.

Frequenzbereich: 20-75 kHz
Geringe elektromagnetische Störungen
Sehr enge Parameter Verteilung
Maximaler TJ-Betrieb von 175 °C.

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