Infineon IGBT / 50 A, 650 V 282 W, 3-Pin PG-TO-247

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RS Best.-Nr.:
244-2919
Herst. Teile-Nr.:
IKW50N65WR5XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

50A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

282W

Gehäusegröße

PG-TO-247

Pinanzahl

3

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.8V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

41.42mm

Breite

16.13 mm

Serie

Reverse Conducting

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon Monolithic Diode, optimiert für PFC- und Schweißanwendungen. Es verfügt über ein stabiles Temperaturverhalten und sehr niedrige VCEsat und niedrige Eoff sowie eine einfache parallele Schaltfähigkeit basierend auf dem positiven Temperaturkoeffizienten von VCEsat.

Geringe elektromagnetische Störungen

Niedrige elektrische Parameter abhängig von der Temperatur

Zugelassen gemäß JESD-022 für Zielanwendungen

Bleifreie Leitungsbeschichtung

RO HS-konform

Komplettes Produktspektrum und Pspice Models

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