Infineon IGBT-Transistormodul / 80 A ±20V max., 650 V 305 W PG-TO247-3
- RS Best.-Nr.:
- 259-1535
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW50N65H5FKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
€ 7,97
(ohne MwSt.)
€ 9,564
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 30 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Auf Lager
- Zusätzlich 234 Einheit(en) mit Versand ab 19. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 3,985 | € 7,97 |
| 10 - 18 | € 3,625 | € 7,25 |
| 20 - 48 | € 3,385 | € 6,77 |
| 50 - 98 | € 3,145 | € 6,29 |
| 100 + | € 2,91 | € 5,82 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 259-1535
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW50N65H5FKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 80 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 305 W | |
| Gehäusegröße | PG-TO247-3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 80 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 305 W | ||
Gehäusegröße PG-TO247-3 | ||
Die Hochgeschwindigkeits-IGBT5 von Infineon ist mit der RAPID 1 schnellen und weichen Anti-Parallel-Diode in einem TO-247-Gehäuse verpackt, definiert als "best-in-class" IGBT. Er verfügt über den besten Wirkungsgrad in seiner Klasse, was zu einer niedrigeren Anschluss- und Gehäusetemperatur führt, was zu einer höheren Gerätezuverlässigkeit führt. 50-V-Erhöhung der Busspannung möglich, ohne die Zuverlässigkeit zu beeinträchtigen.
Durchgangsspannung: 650 V
Im Vergleich zur besten HighSpeed 3-Familie
Faktor 2,5 niedriger Qg
Reduzierung der Schaltverluste um den Faktor 2
200 mV Reduzierung bei VCEsat
Mitgepackt mit Rapid Si-Diode-Technologie
Niedrige COES/EOSS
Leichter positiver Temperaturkoeffizient VCEsa
Im Vergleich zur besten HighSpeed 3-Familie
Faktor 2,5 niedriger Qg
Reduzierung der Schaltverluste um den Faktor 2
200 mV Reduzierung bei VCEsat
Mitgepackt mit Rapid Si-Diode-Technologie
Niedrige COES/EOSS
Leichter positiver Temperaturkoeffizient VCEsa
Verwandte Links
- Infineon IGBT-Transistormodul / 80 A ±20V max., 650 V 305 W PG-TO247-3
- Infineon IGBT-Transistormodul / 50 A 15V max. Dual, 650 V 305 W PG-TO247-3
- IGBT-Transistormodul / 50 A 15V max. Dual, 650 V 305 W PG-TO247-3
- Infineon IGBT-Transistormodul / 40 A 15V max. Dual, 650 V 250 W PG-TO247-3
- Infineon IGBT-Transistormodul / 30 A ±20V max., 650 V 105 W PG-TO220-3
- Infineon IGBT ±20V max., 650 V 230 W PG-TO247-3
- Infineon IGBT / 30 A 20V max., 650 V 185 W PG-TO247-3
- Infineon IGBT / 50 A 20V max., 650 V 282 W PG-TO247-3