Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 4,5 V bis 5,5 V, SOJ 44-Pin

RS Best.-Nr.:: 182-3290
Herst. Teile-Nr.:: CY7C1041G-10VXI
Hersteller:: Infineon

Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 4,5 V bis 5,5 V, SOJ 44-Pin

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RS Best.-Nr.:: 182-3290
Herst. Teile-Nr.:: CY7C1041G-10VXI
Hersteller:: Infineon

Datasheet CY7C1041G-10VXI
Datasheet

Eigenschaft	Wert
Speicher Größe	4MBit
Organisation	256 k x 16 Bit
Anzahl der Wörter	256k
Anzahl der Bits pro Wort	16bit
Zugriffszeit max.	10ns
Adressbusbreite	16bit
Taktfrequenz	100MHz
Low Power	Ja
Timing Typ	Asymmetrisch
Montage-Typ	SMD
Gehäusegröße	SOJ
Pinanzahl	44
Abmessungen	1.13 x 0.405 x 0.11Zoll
Arbeitsspannnung max.	5,5 V
Höhe	2.79mm
Breite	10.29mm
Länge	28.7mm
Betriebstemperatur max.	+85 °C
Betriebstemperatur min.	–40 °C
Arbeitsspannnung min.	4,5 V

Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 4,5 V bis 5,5 V, SOJ 44-Pin

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