Renesas Electronics 1 MB SRAM 256K, 16 / Wort, SOJ-44 44-Pin

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RS Best.-Nr.:
263-7917
Herst. Teile-Nr.:
71V416S12PHG
Hersteller:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Speicher Größe

1MB

Produkt Typ

SRAM

Organisation

256k x 16

Anzahl der Wörter

256K

Anzahl der Bits pro Wort

16

Zugriffszeit max.

12ns

Timing Typ

Asynchron

Minimale Versorgungsspannung

3V

Montageart

Oberfläche

Maximale Versorgungsspannung

3.6V

Gehäusegröße

SOJ-44

Betriebstemperatur min.

0°C

Maximale Betriebstemperatur

70°C

Pinanzahl

44

Normen/Zulassungen

JEDEC

Länge

18.41mm

Breite

10.16 mm

Höhe

1mm

Serie

IDT71V416

Automobilstandard

Nein

Versorgungsstrom

180mA

Ursprungsland:
TW
Der CMOS-Static-RAM 6 von Renesas Electronics ist ein Hochgeschwindigkeits-Static-RAM, der als 64 K x 16 organisiert ist. Es wird mit Hochleistungs- und hochzuverlässiger CMOS-Technologie gefertigt. Diese modernste Technologie in Kombination mit innovativen Schaltkreis-Designtechniken bietet eine kostengünstige Lösung für Hochgeschwindigkeits-Speicheranforderungen. Alle bidirektionalen Eingänge und Ausgänge des RAM sind TTL-kompatibel, und der Betrieb erfolgt über eine einzelne 5-V-Versorgung. Es werden vollständig statische asynchrone Schaltkreise verwendet, die keine Uhren oder Aktualisierungen für den Betrieb erfordern.

Ein Chip-Auswahlstift plus ein Ausgangs-Aktivierungsstift

Bidirektionale Dateneingänge und -ausgänge direkt TTL-kompatibel

Niedriger Stromverbrauch über Chip-Abwählen

Aktivierungsstifte für obere und untere Byte

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