Renesas Electronics 1 MB SRAM 256K, 16 / Wort, SOJ-44 44-Pin

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RS Best.-Nr.:
263-7917
Herst. Teile-Nr.:
71V416S12PHG
Hersteller:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Produkt Typ

SRAM

Speicher Größe

1MB

Anzahl der Wörter

256K

Anzahl der Bits pro Wort

16

Zugriffszeit max.

12ns

Minimale Versorgungsspannung

3V

Timing Typ

Asynchron

Montageart

Oberfläche

Maximale Versorgungsspannung

3.6V

Gehäusegröße

SOJ-44

Betriebstemperatur min.

0°C

Pinanzahl

44

Maximale Betriebstemperatur

70°C

Länge

18.41mm

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

JEDEC

Serie

IDT71V416

Versorgungsstrom

180mA

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TW
Der CMOS-Static-RAM 6 von Renesas Electronics ist ein Hochgeschwindigkeits-Static-RAM, der als 64 K x 16 organisiert ist. Es wird mit Hochleistungs- und hochzuverlässiger CMOS-Technologie gefertigt. Diese modernste Technologie in Kombination mit innovativen Schaltkreis-Designtechniken bietet eine kostengünstige Lösung für Hochgeschwindigkeits-Speicheranforderungen. Alle bidirektionalen Eingänge und Ausgänge des RAM sind TTL-kompatibel, und der Betrieb erfolgt über eine einzelne 5-V-Versorgung. Es werden vollständig statische asynchrone Schaltkreise verwendet, die keine Uhren oder Aktualisierungen für den Betrieb erfordern.

Ein Chip-Auswahlstift plus ein Ausgangs-Aktivierungsstift

Bidirektionale Dateneingänge und -ausgänge direkt TTL-kompatibel

Niedriger Stromverbrauch über Chip-Abwählen

Aktivierungsstifte für obere und untere Byte

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