Renesas Electronics 1 MB SRAM 256K, 16 / Wort, SOJ-44 44-Pin

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RS Best.-Nr.:
263-7916
Herst. Teile-Nr.:
71V416S12PHG
Hersteller:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Speicher Größe

1MB

Produkt Typ

SRAM

Anzahl der Wörter

256K

Anzahl der Bits pro Wort

16

Zugriffszeit max.

12ns

Timing Typ

Asynchron

Minimale Versorgungsspannung

3V

Montageart

Oberfläche

Maximale Versorgungsspannung

3.6V

Betriebstemperatur min.

0°C

Gehäusegröße

SOJ-44

Maximale Betriebstemperatur

70°C

Pinanzahl

44

Normen/Zulassungen

JEDEC

Höhe

1mm

Länge

18.41mm

Serie

IDT71V416

Automobilstandard

Nein

Versorgungsstrom

180mA

Ursprungsland:
TW
Der CMOS-Static-RAM 6 von Renesas Electronics ist ein Hochgeschwindigkeits-Static-RAM, der als 64 K x 16 organisiert ist. Es wird mit Hochleistungs- und hochzuverlässiger CMOS-Technologie gefertigt. Diese modernste Technologie in Kombination mit innovativen Schaltkreis-Designtechniken bietet eine kostengünstige Lösung für Hochgeschwindigkeits-Speicheranforderungen. Alle bidirektionalen Eingänge und Ausgänge des RAM sind TTL-kompatibel, und der Betrieb erfolgt über eine einzelne 5-V-Versorgung. Es werden vollständig statische asynchrone Schaltkreise verwendet, die keine Uhren oder Aktualisierungen für den Betrieb erfordern.

Ein Chip-Auswahlstift plus ein Ausgangs-Aktivierungsstift

Bidirektionale Dateneingänge und -ausgänge direkt TTL-kompatibel

Niedriger Stromverbrauch über Chip-Abwählen

Aktivierungsstifte für obere und untere Byte

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