Renesas Electronics 4 MB SRAM 256K, 16 / Wort, SOJ-44 48-Pin

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RS Best.-Nr.:
262-8977
Herst. Teile-Nr.:
71V416L10PHGI
Hersteller:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Speicher Größe

4MB

Produkt Typ

SRAM

Anzahl der Wörter

256K

Anzahl der Bits pro Wort

16

Zugriffszeit max.

15ns

Minimale Versorgungsspannung

3.3V

Timing Typ

Asynchron

Montageart

Oberfläche

Maximale Versorgungsspannung

3.3V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gehäusegröße

SOJ-44

Pinanzahl

48

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Normen/Zulassungen

JEDEC Center Power/GND pinout

Höhe

1mm

Länge

18.41mm

Serie

IDT71V416

Automobilstandard

Nein

Versorgungsstrom

180mA

Ursprungsland:
TW
Der CMOS-SRAM von Renesas Electronics ist als 256 K x 16 organisiert. Alle bidirektionalen Eingänge und Ausgänge des SRAM sind LVTTL-kompatibel, und der Betrieb erfolgt über eine einzelne 3,3-V-Versorgung. Es werden vollständig statische asynchrone Schaltkreise verwendet, die keine Uhren oder Aktualisierungen für den Betrieb erfordern.

JEDEC-Mittelstrom-/GND-Pinout für geringeres Rauschen.

Ein Chip-Auswahlstift plus ein Ausgangs-Aktivierungsstift

Bidirektionale Dateneingänge und -ausgänge direkt

Niedriger Stromverbrauch über Chip-Abwählen

Aktivierungsstifte für obere und untere Byte

Einfaches 3,3-V-Netzteil

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