Infineon 4 MB SRAM 256K, 16 / Wort, TSOP II 44-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 273-7349
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C1041G-10ZSXI
- Hersteller:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C1041G-10ZSXI
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | SRAM | |
| Speicher Größe | 4MB | |
| Organisation | 256 K x 16 | |
| Anzahl der Wörter | 256K | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16 | |
| Minimale Versorgungsspannung | 0.5V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 0.5V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gehäusegröße | TSOP II | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Pinanzahl | 44 | |
| Länge | 18.51mm | |
| Höhe | 10.26mm | |
| Serie | CY7C1041G | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 1.19 mm | |
| Versorgungsstrom | 45mA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ SRAM | ||
Speicher Größe 4MB | ||
Organisation 256 K x 16 | ||
Anzahl der Wörter 256K | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16 | ||
Minimale Versorgungsspannung 0.5V | ||
Maximale Versorgungsspannung 0.5V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gehäusegröße TSOP II | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Pinanzahl 44 | ||
Länge 18.51mm | ||
Höhe 10.26mm | ||
Serie CY7C1041G | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 1.19 mm | ||
Versorgungsstrom 45mA | ||
Die statischen RAMs von Infineon sind schnelle CMOS-RAM-Teile mit integrierter ECC. Dieser statische RAM-Baustein wird in der Single-Chip-Enable-Option und in Mehrfach-Pin-Konfigurationen angeboten. Dieses Teil verfügt über einen ERR-Pin, der ein Fehlererkennungs- und Korrekturereignis während eines Lesezyklus signalisiert. Daten werden geschrieben, indem die Eingänge für die Chipfreigabe und die Schreibfreigabe auf LOW gesetzt werden, während die Daten auf IO 0 bis IO 15 und die Adresse auf den Pins A0 bis A17 bereitgestellt werden. Die Eingänge „Byte High Enable“ und „Byte Low Enable“ steuern Schreibvorgänge auf die oberen und unteren Bytes des angegebenen Speicherplatzes.
Hohe Geschwindigkeit
Niedrige Aktiv- und Standby-Ströme
1-Bit-Fehlererkennung und -korrektur
TTL-kompatible Ein- und Ausgänge
Embedded ECC für Einzelbit-Fehlerkorrektur
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