Infineon 4 MB SRAM 512K, 8 / Wort, SOJ 36-Pin

RS Best.-Nr.:: 182-3295
Herst. Teile-Nr.:: CY7C1049GN-10VXI
Hersteller:: Infineon

Infineon 4 MB SRAM 512K, 8 / Wort, SOJ 36-Pin

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RS Best.-Nr.:: 182-3295
Herst. Teile-Nr.:: CY7C1049GN-10VXI
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Speicher Größe	4MB
	Produkt Typ	SRAM
	Organisation	512k x 16 Bit
	Anzahl der Wörter	512K
	Anzahl der Bits pro Wort	8
	Zugriffszeit max.	10ns
	Timing Typ	Asynchron
	Montageart	Oberfläche
	Gehäusegröße	SOJ
	Pinanzahl	36
	Länge	0.93mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Breite	0.4 mm
	Höhe	0.12mm

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Speicher Größe 4MB
	Produkt Typ SRAM
	Organisation 512k x 16 Bit
	Anzahl der Wörter 512K
	Anzahl der Bits pro Wort 8
	Zugriffszeit max. 10ns
	Timing Typ Asynchron
	Montageart Oberfläche
	Gehäusegröße SOJ
	Pinanzahl 36
	Länge 0.93mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Breite 0.4 mm
	Höhe 0.12mm

Ursprungsland:: US

Der CY7C1049GN ist ein leistungsstarkes CMOS-Fast-Static-RAM-Gerät, das als 512 K Wörter pro 8 Bit organisiert ist. Datenschreibvorgänge werden ausgeführt, indem die Eingänge Chip Enable (CE) und Write Enable (WE) LOW bestätigt werden, während die Daten auf E/A0 über E/A7 und die Adresse auf A0 über A18-Stifte bereitgestellt werden. Datenlesungen werden durchgeführt, indem die Eingänge für Chip Enable (CE) und Output Enable (OE) LOW bestätigt werden und die erforderliche Adresse auf den Adresszeilen angegeben wird. Die Lesedaten sind auf den E/A-Leitungen (E/A0 bis E/A7) zugänglich. Alle E/A (E/A0 bis E/A7) werden in einem Zustand mit hoher Impedanz während der folgenden Ereignisse platziert: Das Gerät wird deaktiviert (CE HIGH) Das Steuersignal OE wird de-assert.

Hohe Geschwindigkeit

tAA = 10 ns

Niedrige aktive und Standby-Ströme

Aktiver Strom: ICC = 38 mA typisch

Standby-Strom: ISB2 = 6 mA typisch

Betriebsspannungsbereich: 1,65 V bis 2,2 V, 2,2 V bis 3,6 V und

4,5 V bis 5,5 V

1,0 V Datenspeicherung

TTL-kompatible Eingänge und Ausgänge

Bleifreie 36-polige SOJ- und 44-polige TSOP II-Gehäuse

Infineon 4 MB SRAM 512K, 8 / Wort, SOJ 36-Pin

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