STMicroelectronics Isoliert STripFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 4 A 2 W, 8-Pin SOIC

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

€ 1.527,50

(ohne MwSt.)

€ 1.832,50

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 10 000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +€ 0,611€ 1.527,50

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
920-6557
Herst. Teile-Nr.:
STS4DNF60L
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

STripFET

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

55mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Betriebstemperatur min.

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Höhe

1.25mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-STripFET™-Dual-MOSFET, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


Verwandte Links