STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 6 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 485-8386
- Herst. Teile-Nr.:
- STS6NF20V
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | STripFET | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 45mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.25mm | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
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|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie STripFET | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 45mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.25mm | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
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