STMicroelectronics Isoliert STripFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 4 A 2 W, 8-Pin SOIC

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 12,24

(ohne MwSt.)

€ 14,69

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 11 040 Einheit(en) mit Versand ab 25. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 5€ 2,448€ 12,24
10 - 20€ 2,176€ 10,88
25 - 95€ 2,064€ 10,32
100 - 495€ 1,618€ 8,09
500 +€ 1,364€ 6,82

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
485-8358
Distrelec-Artikelnummer:
304-42-969
Herst. Teile-Nr.:
STS4DNF60L
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

STripFET

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

55mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Betriebstemperatur min.

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.25mm

Länge

5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-STripFET™-Dual-MOSFET, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


Verwandte Links