STMicroelectronics STripFET P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 10 A 2,7 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 876-5711
Herst. Teile-Nr.:: STS10P4LLF6
Hersteller:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 10 A 2,7 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:: 876-5711
Herst. Teile-Nr.:: STS10P4LLF6
Hersteller:: STMicroelectronics

STS10P4LLF6 P-channel 40 V 10 A, StripFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	10 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Gehäusegröße	SOIC
Serie	STripFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	20 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	2,7 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	5mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	34 nC @ 4,5 V
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	1.5mm
Diodendurchschlagsspannung	1.1V

STMicroelectronics STripFET P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 10 A 2,7 W, 8-Pin SOIC

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P-Kanal-STripFET™-Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics

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