Vishay Isoliert Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 5.3 A, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 919-4189
- Herst. Teile-Nr.:
- SI9945BDY-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 72mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20, -20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Breite | 4mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 72mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20, -20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Breite 4mm | ||
- Ursprungsland:
- TW
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