Vishay Isoliert Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 5.3 A, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
919-4189
Herst. Teile-Nr.:
SI9945BDY-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

72mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20, -20V

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4mm

Höhe

1.5mm

Länge

5mm

Ursprungsland:
TW

Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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