Vishay P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4 A 2000 mW, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 710-3395
Herst. Teile-Nr.:: SI9933CDY-T1-GE3
Hersteller:: Vishay

Vishay P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4 A 2000 mW, 8-Pin SOIC

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Herst. Teile-Nr.:: SI9933CDY-T1-GE3
Hersteller:: Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 4A
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	4 A
Drain-Source-Spannung max.	20 V
Gehäusegröße	SOIC
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	58 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	0.6V
Verlustleistung max.	2000 mW
Transistor-Konfiguration	Isoliert
Gate-Source Spannung max.	-12 V, +12 V
Länge	5mm
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Breite	4mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	17 nC @ 10 V, 8 nC @ 4,5 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	1.55mm
Betriebstemperatur min.	-50 °C

Vishay P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4 A 2000 mW, 8-Pin SOIC

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Zweifach-P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor

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