Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 4 A 2 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
710-3395
Herst. Teile-Nr.:
SI9933CDY-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

58mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17nC

Betriebstemperatur min.

150°C

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4 mm

Höhe

1.55mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Zweifach-P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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