Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 600 mA 2 W, 6-Pin TSOP
- RS Best.-Nr.:
- 919-4725
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF5801TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
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- 919-4725
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF5801TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 600mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.2Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30V, +30V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.9nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.5mm | |
| Höhe | 900μm | |
| Länge | 3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 600mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.2Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30V, +30V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.9nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.5mm | ||
Höhe 900μm | ||
Länge 3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 150 V bis 600 V, Infineon
Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
MOSFET-Transistoren, Infineon
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