Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 21 A, 6-Pin DirectFET ISOMETRISCH

Die Infineon Automotive DirectFET ® -Leistungs-MOSFET-Serie hat eine maximale Drain-Quellspannung von 60 V mit 20 A maximalem Dauerstromstrom in einem DirectFET Small Can Gehäuse. Der AUIRF7640S2TR/TR1 kombiniert die neueste KFZ-HEXFET ® -Leistungs-MOSFET-Siliziumtechnologie mit der Advanced DirectFET ® -Verpackungsplattform, um ein erstklassiges Teil für Audioverstärkeranwendungen der Klasse D zu produzieren. Das DirectFET ® -Gehäuse ist kompatibel mit vorhandenen Layoutgeometrien, die in Stromversorgungsanwendungen, Leiterplattenmontagegeräten und Dampfphasen-, Infrarot- oder Konvektionslötverfahren verwendet werden, wenn der Anwendungshinweis AN-1035 bezüglich der Herstellungsmethoden und -verfahren befolgt wird. Das DirectFET ® -Gehäuse ermöglicht eine zweiseitige Kühlung zur Maximierung der Wärmeübertragung in Kfz-Stromversorgungssystemen.

Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
Optimiert für Audioverstärker der Klasse D und Hochgeschwindigkeitsschalten Anwendungen
Niedrige Rds (ein) für verbesserte Effizienz
Wiederholte Lawinenfähigkeit für Robustheit und Zuverlässigkeit
Bleifrei, RoHS- und halogenfrei