Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 35 A, 7-Pin DirectFET
- RS Best.-Nr.:
- 260-5939
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF6643TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
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- IRF6643TRPBF
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 35A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | DirectFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 35A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße DirectFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der digitale Audio-MOSFET von Infineon wurde speziell für Audio-Verstärkeranwendungen der Klasse D entwickelt. Dieser MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen. Darüber hinaus sind Gate-Ladung, Gehäuse-Diode-Rückwärtswiederherstellung und interner Gate-Widerstand optimiert, um wichtige Klasse-D-Audioverstärker-Leistungsfaktoren wie Effizienz, THD und EMI zu verbessern.
Neueste MOSFET-Siliziumtechnologie
Kompatibel mit zweiseitiger Kühlung
Kompatibel mit vorhandenen SMD-Technologien
Bleifrei
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