Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 35 A, 7-Pin DirectFET

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RS Best.-Nr.:
260-5939
Herst. Teile-Nr.:
IRF6643TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

35A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

DirectFET

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der digitale Audio-MOSFET von Infineon wurde speziell für Audio-Verstärkeranwendungen der Klasse D entwickelt. Dieser MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen. Darüber hinaus sind Gate-Ladung, Gehäuse-Diode-Rückwärtswiederherstellung und interner Gate-Widerstand optimiert, um wichtige Klasse-D-Audioverstärker-Leistungsfaktoren wie Effizienz, THD und EMI zu verbessern.

Neueste MOSFET-Siliziumtechnologie

Kompatibel mit zweiseitiger Kühlung

Kompatibel mit vorhandenen SMD-Technologien

Bleifrei

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