Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 18 A 45 W, 7-Pin DirectFET
- RS Best.-Nr.:
- 214-8950
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF7675M2TR
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | DirectFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 56mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 45W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 21nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.35mm | |
| Breite | 5.05 mm | |
| Höhe | 0.74mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße DirectFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 56mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 45W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.35mm | ||
Breite 5.05 mm | ||
Höhe 0.74mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon kombiniert die neueste KFZ-HEXFET-Leistungs-MOSFET-Siliziumtechnologie mit der Advanced Packing-Plattform, um ein erstklassiges Teil für Audioverstärkeranwendungen der Klasse D zu produzieren. Das Gehäuse ist kompatibel mit vorhandenen Layoutgeometrien, die in Stromversorgungsanwendungen, Leiterplattenmontagegeräten und Dampfphasen, Infrarot- oder Konvektionslötverfahren usw. verwendet werden. Das Gehäuse ermöglicht eine zweiseitige Kühlung zur Maximierung der Wärmeübertragung in Kfz-Stromversorgungssystemen. Diese Eigenschaften machen diesen MOSFET zu einer äußerst wünschenswerten Komponente in Kfz-Klasse-D-Audioverstärkersystemen.
Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
Betriebstemperatur von 175 °C
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