Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 150 A 89 W, 2-Pin DirectFET

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RS Best.-Nr.:
222-4737
Herst. Teile-Nr.:
IRF6620TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

150A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

DirectFET

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

2

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

28nC

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

89W

Länge

6.35mm

Breite

5.05 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.68mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design der HEXFET ® Power MOSFET-Siliziumtechnologie mit Advanced Direct FETTM-Gehäuse, um den niedrigsten Widerstand im eingeschalteten Zustand in einem Gehäuse zu erreichen, das die Abmessungen eines SO-8- und nur 0,7-mm-Profils aufweist. Das DirectFET-Gehäuse ist kompatibel mit vorhandenen Layoutgeometrien, die in Stromversorgungsanwendungen, Leiterplattenmontagegeräten und Dampfphasen-, Infrarot- oder Konvektionslötverfahren verwendet werden, wenn der Anwendungshinweis AN-1035 bezüglich der Herstellungsmethoden und -verfahren befolgt wird.

100 % Rg-geprüfte geringe Induktions- und Schaltverluste

Extrem niedrige Gehäuseinduktivität, ideal für CPU-Kern-DC/DC-Wandler

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