Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 68 A 63 W, 9-Pin DirectFET
- RS Best.-Nr.:
- 215-2450
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF7648M2TR
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
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- AUIRF7648M2TR
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 68A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | DirectFET | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 63W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 35nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 68A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße DirectFET | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 9 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 63W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 35nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon Automotive DirectFET ® Power MOSFET hat eine maximale Ableitquellspannung von 60 V mit einem maximalen Dauerablassstrom von 68 A in einem DirectFET M4-Gehäuse. Der AUIRF7648M2 kombiniert die neueste Kfz-Siliziumtechnologie HEXFET ® Power MOSFET mit der Advanced DirectFET ® -Verpackung, um eine niedrige Gate-Ladung sowie den niedrigsten Widerstand im eingeschalteten Zustand in einem Gehäuse zu erreichen, das die Abmessungen eines SO-8 und nur 0,7 mm Profil aufweist. Das DirectFET ® -Gehäuse ist kompatibel mit vorhandenen Layoutgeometrien, die in Stromversorgungsanwendungen, Leiterplattenmontagegeräten und Dampfphasen-, Infrarot- oder Konvektionslötverfahren verwendet werden, wenn der Anwendungshinweis AN-1035 bezüglich der Herstellungsmethoden und -verfahren befolgt wird. Das DirectFET ® -Gehäuse ermöglicht eine zweiseitige Kühlung zur Maximierung der Wärmeübertragung in Kfz-Stromversorgungssystemen.
Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
Optimiert für Kfz-Motorantriebe, DC/DC und andere Hochleistungsanwendungen
Niedrige Rds (ein) für verbesserte Effizienz
Wiederholte Lawinenfähigkeit für Robustheit und Zuverlässigkeit
Bleifrei, RoHS- und halogenfrei
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