Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 68 A, 9-Pin DirectFET ISOMETRISCH

Der Infineon Automotive DirectFET ® Power MOSFET hat eine maximale Ableitquellspannung von 60 V mit einem maximalen Dauerablassstrom von 68 A in einem DirectFET M4-Gehäuse. Der AUIRF7648M2 kombiniert die neueste Kfz-Siliziumtechnologie HEXFET ® Power MOSFET mit der Advanced DirectFET ® -Verpackung, um eine niedrige Gate-Ladung sowie den niedrigsten Widerstand im eingeschalteten Zustand in einem Gehäuse zu erreichen, das die Abmessungen eines SO-8 und nur 0,7 mm Profil aufweist. Das DirectFET ® -Gehäuse ist kompatibel mit vorhandenen Layoutgeometrien, die in Stromversorgungsanwendungen, Leiterplattenmontagegeräten und Dampfphasen-, Infrarot- oder Konvektionslötverfahren verwendet werden, wenn der Anwendungshinweis AN-1035 bezüglich der Herstellungsmethoden und -verfahren befolgt wird. Das DirectFET ® -Gehäuse ermöglicht eine zweiseitige Kühlung zur Maximierung der Wärmeübertragung in Kfz-Stromversorgungssystemen.

Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
Optimiert für Kfz-Motorantriebe, DC/DC und andere Hochleistungsanwendungen
Niedrige Rds (ein) für verbesserte Effizienz
Wiederholte Lawinenfähigkeit für Robustheit und Zuverlässigkeit
Bleifrei, RoHS- und halogenfrei