Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 21 A 30 W, 6-Pin DirectFET

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RS Best.-Nr.:
215-2448
Herst. Teile-Nr.:
AUIRF7640S2TR
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

DirectFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

36mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

30W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.3nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon Automotive DirectFET ® -Leistungs-MOSFET-Serie hat eine maximale Drain-Quellspannung von 60 V mit 20 A maximalem Dauerstromstrom in einem DirectFET Small Can Gehäuse. Der AUIRF7640S2TR/TR1 kombiniert die neueste KFZ-HEXFET ® -Leistungs-MOSFET-Siliziumtechnologie mit der Advanced DirectFET ® -Verpackungsplattform, um ein erstklassiges Teil für Audioverstärkeranwendungen der Klasse D zu produzieren. Das DirectFET ® -Gehäuse ist kompatibel mit vorhandenen Layoutgeometrien, die in Stromversorgungsanwendungen, Leiterplattenmontagegeräten und Dampfphasen-, Infrarot- oder Konvektionslötverfahren verwendet werden, wenn der Anwendungshinweis AN-1035 bezüglich der Herstellungsmethoden und -verfahren befolgt wird. Das DirectFET ® -Gehäuse ermöglicht eine zweiseitige Kühlung zur Maximierung der Wärmeübertragung in Kfz-Stromversorgungssystemen.

Fortschrittliche Verfahrenstechnologie

Optimiert für Audioverstärker der Klasse D und Hochgeschwindigkeitsschalten Anwendungen

Niedrige Rds (ein) für verbesserte Effizienz

Wiederholte Lawinenfähigkeit für Robustheit und Zuverlässigkeit

Bleifrei, RoHS- und halogenfrei

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