Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 112 A DirectFET ISOMETRISCH

Der Infineon kombiniert die neueste KFZ-HEXFET-Leistungs-MOSFET-Siliziumtechnologie mit der Advanced Package-Plattform, um eine außergewöhnliche Leistung in einem Gehäuse zu erreichen, das die Abmessungen eines SO-8- oder 5X6mm-PQFN und nur 0,7 mm-Profil aufweist. Das Gehäuse ist kompatibel mit vorhandenen Layoutgeometrien, die in Stromversorgungsanwendungen, Leiterplattenmontagegeräten und Dampfphasen, Infrarot- oder Konvektionslötverfahren usw. verwendet werden. Das Gehäuse ermöglicht eine zweiseitige Kühlung zur Maximierung der Wärmeübertragung in Kfz-Stromversorgungssystemen.

Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
Logikebene
Hohe Leistungsdichte