Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 25 V / 21 A 2.1 W, 6-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 257-5793
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-531
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFHS8242TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
€ 8,03
(ohne MwSt.)
€ 9,63
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 6 825 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | € 0,321 | € 8,03 |
| 125 - 225 | € 0,304 | € 7,60 |
| 250 - 600 | € 0,273 | € 6,83 |
| 625 - 1225 | € 0,225 | € 5,63 |
| 1250 + | € 0,144 | € 3,60 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-5793
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-531
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFHS8242TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.1W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.3nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 2mm | |
| Breite | 2mm | |
| Höhe | 900μm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.1W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.3nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 2mm | ||
Breite 2mm | ||
Höhe 900μm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, bei denen Leistung und Robustheit gefragt sind. Das umfassende Portfolio deckt eine breite Palette von Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.
Niedriger RDSon (< 58 m)
Niedriger Wärmewiderstand zur Leiterplatte (<12 °C/W)
100 % Rg getestet
Niedrige Bauform (<09 mm)
Pinout nach Industriestandard
Kompatibel mit bestehenden Oberflächenmontagetechniken
RoHS-konform, enthält kein Blei, kein Bromid und kein Halogen, umweltfreundlich
MSL1, industrielle Qualifikation
Verwandte Links
- Infineon HEXFET N-Kanal 6-Pin PQFN
- Infineon HEXFET N-Kanal 6-Pin PQFN
- Infineon HEXFET N-Kanal 6-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 6-Pin PQFN
- Infineon HEXFET N-Kanal 6-Pin DirectFET
- Infineon ISK N-Kanal 6-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 21 A 37 W PQFN