Teile-Nr.

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 25 V / 21 A 2.1 W, 6-Pin PQFN

RS Best.-Nr.:: 257-5793
Distrelec-Artikelnummer:: 304-40-531
Herst. Teile-Nr.:: IRFHS8242TRPBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 25 V / 21 A 2.1 W, 6-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:: 257-5793
Distrelec-Artikelnummer:: 304-40-531
Herst. Teile-Nr.:: IRFHS8242TRPBF
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

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Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	21A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	25V
	Gehäusegröße	PQFN
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	6
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	13mΩ
	Durchlassspannung Vf	1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	4.3nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	2.1W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	2 mm
	Höhe	0.9mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Länge	2mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 25V
	Gehäusegröße PQFN
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 6
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 13mΩ
	Durchlassspannung Vf 1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.3nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 2.1W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 2 mm
	Höhe 0.9mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Länge 2mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRFHS8242TRPBF

Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, bei denen Leistung und Robustheit gefragt sind. Das umfassende Portfolio deckt eine breite Palette von Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.

Niedriger RDSon (< 58 m)

Niedriger Wärmewiderstand zur Leiterplatte (<12 °C/W)

100 % Rg getestet

Niedrige Bauform (<09 mm)

Pinout nach Industriestandard

Kompatibel mit bestehenden Oberflächenmontagetechniken

RoHS-konform, enthält kein Blei, kein Bromid und kein Halogen, umweltfreundlich

MSL1, industrielle Qualifikation

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 25 V / 21 A 2.1 W, 6-Pin PQFN

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