Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 12.5 A 11.5 W PQFN

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RS Best.-Nr.:
217-2640
Herst. Teile-Nr.:
IRL80HS120
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

42mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

11.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.1mm

Länge

2.1mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1 mm

Automobilstandard

Nein

Die neuen Leistungs-MOSFETs von Infineon, die in drei verschiedenen Spannungsklassen (60 V, 80 V und 100 V) erhältlich sind, eignen sich hervorragend für drahtlose Lade-, Telekommunikations- und Adapteranwendungen. Das PQFN 2x2-Gehäuse ist besonders geeignet für Hochgeschwindigkeitsschalten und für Anwendungen mit Formfaktor. Sie ermöglicht eine höhere Leistungsdichte und verbesserte Effizienz sowie erhebliche Platzersparnis.

Niedrigster FOM (R DS(on) x Q g/gd)

Optimierte Q g, C oss und Q rr für schnelles Schalten

Logikpegel-Kompatibilität

Kleines PQFN-Gehäuse, 2 x 2 mm

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