Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V / -5.1 A 1.4 W, 6-Pin PQFN

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

€ 4,74

(ohne MwSt.)

€ 5,69

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 3 990 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 +€ 0,474€ 4,74

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
257-9392
Herst. Teile-Nr.:
IRFHS9351TRPBF
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-5.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-30V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

290mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.9nC

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

1.4W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

2mm

Breite

2 mm

Höhe

0.9mm

Automobilstandard

Nein

Die IRFHS-Serie von Infineon ist ein robustes IRFET-Leistungs-Mosfet mit zwei P-Kanälen von -30 V in einem PQFN 2x2-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Niedriger RDS (Ein) in einem kleinen Gehäuse

Verwandte Links