Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6 A 2,1 W, 7-Pin DFN2020

RS Best.-Nr.:: 165-7468
Herst. Teile-Nr.:: IRFHS9301TRPBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6 A 2,1 W, 7-Pin DFN2020

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RS Best.-Nr.:: 165-7468
Herst. Teile-Nr.:: IRFHS9301TRPBF
Hersteller:: Infineon

-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	6 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	DFN2020
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	7
Drain-Source-Widerstand max.	65 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.4V
Gate-Schwellenspannung min.	1.3V
Verlustleistung max.	2,1 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	13 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	2.1mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	2.1mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	0.95mm

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6 A 2,1 W, 7-Pin DFN2020

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P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon

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