Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 30 V / 25 A, 8-Pin PQFN 5 x 6

Die Infineon OptiMOS N-Kanal-Leistungs-MOSFETs wurden zur Steigerung von Effizienz, Leistungsdichte und Kosteneffizienz entwickelt. OptiMOS-Produkte wurden für Hochleistungsanwendungen entwickelt und für hohe Schaltfrequenzen optimiert und überzeugen mit der branchenweit besten Leistungszahl. Das OptiMOS-Leistungs-MOSFET-Portfolio, jetzt ergänzt durch einen starken IRFET, schafft eine wirklich leistungsfähige Kombination. Profitieren Sie von einer perfekten Abstimmung von robusten und ausgezeichneten Preis-/Leistungseigenschaften von starken IRFET-MOSFETs und der besten Technologie von OptiMOS MOSFETs. Beide Produktfamilien erfüllen die höchsten Qualitätsstandards und Leistungsanforderungen. Das gemeinsame Portfolio, das Spannungen von 12 V bis 300 V MOSFETs abdeckt, kann eine Vielzahl von Anforderungen von niedrigen bis hohen Schaltfrequenzen wie SMPS, Batterie-betriebene Anwendungen, Motorsteuerung und Antriebe, Wechselrichter und Computer erfüllen.

Sehr niedriger RDS(ON) bei 4,5 V VGS
Niedrige Gateladung
Vollständig charakterisierte Lawinenspannung und
Stromstärke
100 % geprüft für RG
Bleifrei (qualifiziert bis zu 260 °C Reflow)
RoHS-konform (halogenfrei)
Niedriger Wärmewiderstand
Großes Quellkabel für zuverlässigeres Löten