Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 30 V / 12 A 2.8 W, 8-Pin PQFN

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
220-7481
Herst. Teile-Nr.:
IRFH3707TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET & Diode

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2.8W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5.4nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

Lead-Free, RoHS

Breite

3 mm

Länge

3mm

Höhe

1mm

Automobilstandard

Nein

Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie von Infineon ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, einschließlich DC-Motoren, Batterie- und Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC/DC-Wandler.

Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern

Produktqualifikation nach JEDEC-Standard

SMD-Gehäuse nach Industriestandard

Mögliche Alternative zum SuperSO8-Gehäuse mit hohem RDS(on)

Große Verfügbarkeit von Verteilungspartnern

Industriestandard-Qualifikationsebene

Die Standard-Pinbelegung ermöglicht den Austausch

Kleiner Formfaktor

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