Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 156 W, 8-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
130-0973
Herst. Teile-Nr.:
IRFH5006TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

69nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

156W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6mm

Breite

5 mm

Höhe

0.85mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon


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