Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 156 W, 8-Pin PQFN 5 x 6

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
130-0979
Herst. Teile-Nr.:
IRFH5250DTRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

100 A

Drain-Source-Spannung max.

25 V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

PQFN 5 x 6

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

2,2 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.35V

Gate-Schwellenspannung min.

1.35V

Verlustleistung max.

156 W

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Länge

6mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

5mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

83 nC @ 10 V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1V

Höhe

0.85mm

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