Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 240 A 300 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 166-1010
Herst. Teile-Nr.:: IRF3805S-7PPBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 240 A 300 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:: 166-1010
Herst. Teile-Nr.:: IRF3805S-7PPBF
Hersteller:: Infineon

IRF3805S-7PPbF, IRF3805L-7PPbF, 55V N-Channel HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	240 A
Drain-Source-Spannung max.	55 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	7
Drain-Source-Widerstand max.	3 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	300 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	130 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	4.55mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 240 A 300 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon

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