Infineon CoolMOS C3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 11 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
752-8473
Herst. Teile-Nr.:
SPB11N60C3ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

11 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Serie

CoolMOS C3

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

380 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.9V

Gate-Schwellenspannung min.

2.1V

Verlustleistung max.

125 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

45 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

10.31mm

Breite

9.45mm

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

4.57mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C3



MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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