Infineon CoolMOS CP IPB60R165CPATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 21 A 192 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme 5 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*

€ 8,53

(ohne MwSt.)

€ 10,235

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
5 +€ 1,706

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
825-9178P
Herst. Teile-Nr.:
IPB60R165CPATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

21 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

165 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

192 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

10.31mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

39 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

9.45mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Serie

CoolMOS CP

Höhe

4.572mm

RoHS Status: Ausgenommen

Verwandte Links