Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 80 A 71 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
826-9480
Herst. Teile-Nr.:
IPB80N04S404ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Serie

OptiMOS™ -T2

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

4,6 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

71 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

9.25mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

33 nC @ 10 V

Länge

10mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

4.4mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

RoHS Status: Nicht zutreffend

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