Infineon OptiMOS P P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 80 A 88 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
857-4552
Herst. Teile-Nr.:
IPB80P04P4L06ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Serie

OptiMOS P

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

10,8 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.2V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

88 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–16 V, +16 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10mm

Breite

9.25mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

80 nC @ 10 V

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

4.4mm

RoHS Status: Nicht zutreffend

P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™P


Die P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™ wurden entwickelt, um erweiterte Funktionen bei hochwertiger Leistung zu bieten. Die Merkmale umfassen ultraniedrige Schaltverluste, Durchlasswiderstand, Stoßentladungsnennwerte sowie eine AEC-Zulassung für Lösungen in der Automobilindustrie. Die Anwendungen umfassen DC/DC, Motorsteuerung, Automobilindustrie und eMobility.

Enhancement-Modus
Für Stoßentladung ausgelegt
Niedrige Schalt- und Leitungsverluste
Pb-frei Kabel Beschichtung; RoHS-konform
Standardgehäuse
P-Kanal-Serie OptiMOS™: Temperaturbereich von –55 °C bis +175 °C


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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