Infineon OptiMOS P P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 45 A 58 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
857-8696
Herst. Teile-Nr.:
IPB45P03P4L11ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

45 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Serie

OptiMOS P

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

18,7 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

58 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–16 V, +5 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

9.25mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

42 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

10mm

Höhe

4.4mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

RoHS Status: Ausgenommen

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