Infineon OptiMOS P P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 80 A 137 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*

€ 1.100,00

(ohne MwSt.)

€ 1.320,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
1000 - 1000€ 1,10€ 1.100,00
2000 - 4000€ 1,072€ 1.072,00
5000 +€ 1,045€ 1.045,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
857-4543
Herst. Teile-Nr.:
IPB80P03P4L04ATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Serie

OptiMOS P

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

7 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

137 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–16 V, +5 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

125 nC @ 10 V

Länge

10mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Breite

9.25mm

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

4.4mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

RoHS Status: Nicht zutreffend

Verwandte Links