Infineon OptiMOS P P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,4 A 1,56 W, 8-Pin DSO

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

€ 877,50

(ohne MwSt.)

€ 1.052,50

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +€ 0,351€ 877,50

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
857-8494
Herst. Teile-Nr.:
BSO200P03SHXUMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

7,4 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

DSO

Serie

OptiMOS P

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

20 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.2V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

1,56 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Breite

4mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

40 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

1.65mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Verwandte Links