Infineon CoolMOS C3 N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 6,9 A 104 W, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 500 Stück)*

€ 577,50

(ohne MwSt.)

€ 693,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
500 +€ 1,155€ 577,50

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
857-7040
Herst. Teile-Nr.:
IPP90R800C3XKSA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

6,9 A

Drain-Source-Spannung max.

900 V

Serie

CoolMOS C3

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

800 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

104 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Länge

10.36mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

42 nC @ 10 V

Breite

4.57mm

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

15.95mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C3



MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Verwandte Links