Infineon CoolMOS C3 N-Kanal, SMD MOSFET 560 V / 4,5 A 50 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
753-3178P
Herst. Teile-Nr.:
SPD04N50C3ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

4,5 A

Drain-Source-Spannung max.

560 V

Serie

CoolMOS C3

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

950 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.9V

Gate-Schwellenspannung min.

2.1V

Verlustleistung max.

50 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

22 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

6.22mm

Länge

6.73mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

2.41mm

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