Infineon CoolMOS C3 N-Kanal, SMD MOSFET 560 V / 4,5 A 50 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
753-3178P
Herst. Teile-Nr.:
SPD04N50C3ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

4,5 A

Drain-Source-Spannung max.

560 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Serie

CoolMOS C3

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

950 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.9V

Gate-Schwellenspannung min.

2.1V

Verlustleistung max.

50 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

6.22mm

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

22 nC @ 10 V

Länge

6.73mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

2.41mm

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C3



MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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