Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 100 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
823-5649
Herst. Teile-Nr.:
IPB100N10S305ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

100 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Serie

OptiMOS 3

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

4,8 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

300 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

10mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

135 nC @ 10 V

Breite

9.25mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

4.4mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Ursprungsland:
MY

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr



MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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