Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 23 A 3,8 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 650-4198
Herst. Teile-Nr.:: IRF9540NSPBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 23 A 3,8 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Herst. Teile-Nr.:: IRF9540NSPBF
Hersteller:: Infineon

IRF9540NL/SPBF P-channel MOSFET 23A 100V D2PAK Data sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	23 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	117 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	3,8 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	97 nC @ 10 V
Breite	9.65mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Länge	10.67mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	4.83mm

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 23 A 3,8 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V bis 150 V, Infineon

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