Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 2,2 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 165-7563
Herst. Teile-Nr.:: IRF6216PBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 2,2 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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Herst. Teile-Nr.:: IRF6216PBF
Hersteller:: Infineon

IRF6216PbF, HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	2,2 A
Drain-Source-Spannung max.	150 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	SOIC
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	240 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	2,5 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	33 nC @ 10 V
Breite	4mm
Länge	5mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	1.5mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 2,2 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V bis 150 V, Infineon

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