Infineon HEXFET IRF6217TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 700 mA 2,5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
865-5771P
Herst. Teile-Nr.:
IRF6217TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

700 mA

Drain-Source-Spannung max.

150 V

Gehäusegröße

SOIC

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

2,4 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

2,5 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

5mm

Breite

4mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

6 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

1.5mm

Serie

HEXFET

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Ursprungsland:
CN

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V bis 150 V, Infineon


Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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